一、此设备的高温真空电阻炉温度控制系统采用经典的闭环负反馈控制系统，控温仪表选用智能型程序温度调节仪表控温，电力调制器控制；负载采用小电压大电流控制，从而大大提高了发热元件的寿命，测温元件采用 K 型热偶。30段可编程控温，PID参数自整定，操作界面为10寸工控电脑，内置PLC控制程序，可将温控系统、滑轨炉滑动（时间和距离）设定为程序控制。同时系统设置了超温、 欠温、断偶报警保护功能，大大降低了对操作人员经验的要求，关键电气元件采用优质的进口产品，做到高性能、免维护，提高了设备质量的可靠性。

二、PECVD是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm³电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。

技术参数