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合肥市所在地
主要特点
1. 薄膜沉积速率高：采用了甚高频技术，大大的提高了薄膜的沉积速率，沉积速率可达10Å/S；
2. 大面积均匀性高：采用了*的多点射频馈入技术，特殊气路分布和加热技术等，使得薄膜均匀性指标达到8%；
3. 一致性高：用半导体行业的*设计理念，使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%；
4. 工艺稳定性高：高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定；
5. 选配物料喷射系统，可将原料直接喷射到反应区。
技术参数
真空管式炉 | 炉管尺寸： | 外径Φ50×700mm |
极限温度： | 1200℃ | |
温度控制器： | PID自动控制晶闸管（可控硅）输出功率，30段可编程控制器 | |
zui快升降温速率： | 60℃ | |
加热区： | 230mm | |
恒温区： | 100mm | |
温度精度： | ±1℃ | |
电源： | 单相220V,交流50Hz | |
多通道流量计控制系统 | 标准量程： | 100，200SCCM；（以氮气标定，除以上标准外量程可选） |
准确度： | ±1.5% | |
工作压差范围： | 0.1～0.5 MPa | |
zui大压力： | 3MPa | |
接头类型： | Φ6双卡套不锈钢接头 | |
高真空系统
| 泵体积流量N2： | 33 L/S |
压缩比： | ≥1011mbar | |
实验真空值： | ≤10-6mbar | |
功率消耗： | 140W | |
启动时间： | 2min | |
电源要求： | 185-265V AC | |
射频电源 | 信号频率： | 13.56MHz±0.005%W |
功率输出范围： | 0-100W | |
zui大反射功率： | 10W |
