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IM4000II配备截面研磨能力达到500 µm/h*1以上的高效率离子枪。因此，即使是硬质材料，也可以高效地制备出截面样品。
*1
在加速电压6 kV下，将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±30°
研磨时间：1小时
截面研磨时如果摆动的角度发生变化，加工的宽度和深度也会发生变化。下图为Si片在摆动角度为±15°下进行截面研磨后的结果。除摆动角度以外，其他条件与上述加工条件一致。通过与上面结果进行对比后，可发现加工的深度变深。
对于观察目标位于深处的样品来说，能够对样品进行更快速的截面研磨。
样品：Si片（2 mm厚）
加速电压：6.0 kV
摆动角度：±15°
研磨时间：1小时
即使是由不同硬度以及研磨速度材质所构成的复合材料，也可以通过IM4000Ⅱ制备出平滑的研磨面
优化加工条件，降低因离子束所致样品的损伤
可装载20 mm(W) × 12 mm(D) × 7 mm(H)的样品
金属以及复合材料、高分子材料等样品的截面制备
含有裂缝和空隙等特定位置的样品截面制备
多层样品的截面制备以及对样品EBSD分析的前处理
直径约为5mm范围内的均匀加工
应用领域广泛
可装载直径50 mm × 高度25 mm的样品
可选择旋转和摆动（±60度，±90度的摆动）2种加工方法
去除机械研磨中难以消除的细小划痕和形变
去除样品表层部分
消除因FIB加工所致的损伤层
*1 将Si片从遮挡板边缘突出100 µm并加工1小时的深度。
*2 需与主机同时订购。冷却温度控制功能在使用时，部分功能可能使用有限。
