SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，形成三维结构分析的镜筒布局

 融合高亮度冷场发射电子枪与高灵敏度检测系统，从磁性材料到生物组织——支持分析各种样品

 通过选配口碑良好的Micro-sampling®系统*和Triple Beam®系统*，可支持制作高品质TEM及原子探针样品

◆ 垂直入射截面SEM观察可忠实反映原始样品结构

SEM镜筒与FIB镜筒互成直角，实现FIB加工截面的垂直入射SEM观察。

旧型FIB-SEM采用倾斜截面观察方式，必定导致截面SEM图像变形及采集连续图像时偏离视野，直角型结构可避免出现此类问题。

通过稳定获得忠实反映原始结构的图像，实现高精度三维结构分析。

同时，FIB加工截面（SEM观察截面）与样品表面平行，有利于与光学显微镜图像等数据建立链接。

样品：小白鼠脑神经细胞

样品来源：自然科学研究机构/生理学研究所 窪田芳之 先生

◆ Cut&See/3D-EDS*1/3D-EBSD*1可支持各种材料

Cut&See

从生物组织及半导体到钢铁及镍等磁性材料——支持低加速电压下的高分辨率和高对比度观察。

FIB加工与SEM观察之间切换时，不需要重新设定条件，可高效率的采集截面的连续图像。

提取截面图像・三维重构图像

样品：镍

SEM加速电压：1 kV

加工间距：20 nm

重复次数：675次

3D-EDS*1

不仅支持截面SEM图像，也支持连续采集一系列截面的元素分布图像。

通过选配硅漂移式大立体角EDS检测器*1，可缩短测定时间以及可在低加速电压下采集元素分布图像。

样品：燃料电池电极

SEM加速电压：5 kV

加工间距：100 nm

重复次数：212次

样品来源：东京大学 生产技术研究所 鹿园直毅 教授

3D-EBSD*1

以的方式配置SEM/FIB/EBSD检测器*1，在FIB加工与EBSD分析之间无需移动样品台即可实现3D-EBSD。因为无需移动样品台，所以可大幅提高三维晶体取向分析的精度和效率。

样品：镍

SEM加速电压：20 kV

加工间距：150 nm

重复次数：150次

*1：选配

*2：根据样品座不同，行程不同