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ST-HeatX热阻测试仪_陕西天士立科技生产研发
热阻测试仪_陕西天士立ST-HeatX_平替进口。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，可输出结构函数，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组的_热阻抗_热特性_瞬态热阻_稳态热阻_Kcurve_Rth_Zth_热结构分析 参考价￥985000 -
ST-HeatX半导体热特性热阻抗测试仪_天士立科技
半导体热特性热阻抗测试仪系统_陕西天士立科技研发生产_平替T3Ster_Phase11热特性测试仪。产品符合JESD 51-1、JESD 51-14标准，用于DIODE、IGBT、MOSFET、HEMT、GTO、功率IC等多种类型功率器件及其模组瞬态热阻抗、热结构分析、结构函数输出 参考价￥985000 -
ST-FBSOA_X晶体管正向偏置安全工作区测试系统
1.Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作区）测试
2.FBSOA和对应的IV曲线
3.ICE电流0~1000A
4.VCE电压0~100V
5.VGE驱动电压0~30V
6.VMNF热敏电压≤5V
7.Pmax功率100KW 参考价￥790000 -
STA3500IGBT模块动态特性测试系统
高压源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV
高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA
短路电流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs）
驱动电压/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V
Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手动和自动切换）
负载/L：10 50 150 500 1000 2000 uH
电流/I 参考价￥1000000 -
STA1200晶体管动态特性测试仪
适用于Si（选配 SiC , GaN）材料的单管级IGBTs, Diodes, MOSFETs，的动态特性测试电压源 1200V（选配 2000V）电流源 100A（选配 200A/300A）驱动电压±20V（选配±30V）个性单元与主机灵活搭配，计算机程控操作 参考价￥980000 -
STA1200晶体管动态特性测试系统
1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试
2. 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强
3. 自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃
4. 测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析
5. 测试主功率回路寄生电感Ls10nH(实测)
6. 栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻 参考价￥980000 -
TSLT-ALIGBT模块动静态测试自动化产线
产线由上料机、模块动态测试设备（包含预热加热系统、自动化传送系统、冷却系统、测试系统、模块静态测试设备、静态测试、下料机等组成） 参考价￥5550000 -
STD6500IGBT模块直流参数测试系统
1.用于大功率IGBT和Diode模块的静态直流参数测试。电压10KV,6.5KV,4.5KV,3.3KV；电流10KA,5KA,2400A,1600A
2.智能化、自动式操作基于“测试主机”“计算机程控系统”“气动工装”协调完成。DUT连接“气动工装”“软连接”均可
3.操作简单（点按钮，舱门开，手动将DUT放置夹具底座，再点击，夹具底座归舱，舱门关。点击按钮完成测试且数据自动保存） 参考价￥550000 -
STD2000晶体管参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf 参考价￥259000 -
STD2000半导体分立器件静态参数测试仪系统
测试分析：功率器件研发设计阶段的初始测试
失效分析：失效器件测试，失效机理，设计方案改善
选型配对：器件焊接PCB之前测试，按器件一致性分类配对
来料检验：质量部对入厂器件进行抽检/全检，把控良品率
量产测试：连接机械手、扫码枪、分选机等进行量产测试 参考价￥259000 -
STO1400光耦参数测试仪
ST-OC1400光耦参数测试仪是一款布局紧凑、功能全面、界面友好、操作简洁的单机测试仪器。专为各类光耦参数测试而设计开发，可测试各类单通道、双通道、多通道的模拟光耦，数字光耦，高速光耦，线性光耦等。测试参数包括“耐压BVCEO/BVECO”、“输入正向压降VF”、“输出端反向漏电流ICEO”、“反向漏电流IR”、“电流传输比CTR”、“输出导通压降 VCE(sat)“..…. 参考价￥19800 -
STD2002IGBT静态参数测试仪
测试对象：IGBT、Mosfet、Diode
测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）
该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据 参考价￥29000