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晶体管动态特性测试系统STA1200
晶体管动态特性测试系统STA1200
基础信息
高压源：1200V（选配2000V）
高流源：100A（选配200A/300A/500A）
驱动电压：±20V（选配±30V）
时间分辨率：1ns（选配400ps/200ps/100ps）
系统杂感：＜20nH
测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（选配BJT）
变温测试：常温~150℃/200℃
感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH）
阻性负载：程控电阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）备用三个
测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs
测试标准：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023
晶体管动态特性测试系统STA1200
试验原理举例
晶体管动态特性测试系统STA1200
技术特点
1. 专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试
2. 采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强
3. 自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃
4. 测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析
5. 测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)
6. 栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻
7. DualARM控核，DSP数据采样计算，极大减少控制时延误差
晶体管动态特性测试系统STA1200
试验能力
标配：开通特性测试单元/Turn_ON
标配：关断特性测试单元/Turn_OFF
标配：二极管反向恢复测试单元/Trr
标配：栅电荷测试单元/Qg¨
选配：容阻测试单元/CR¨
选配：短路测试单元/SC¨
选配：雪崩测试单元/UIS¨
选配：安全工作区单元/SOA¨
选配：动态电阻单元/
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
晶体管动态特性测试系统STA1200
参数指标
√ 标配（阻性/感性）开关测试单元 / Turn_ON/OFF |
漏极电压： 5V-1200V， 分辨率 1V |
漏极电流： 1A-100A， 分辨率1A； |
栅极驱动： ±20V （选配±30V）， 分辨率 0.1V |
栅极电流： 2A/MAX |
脉冲宽度： 1us-500us,步进 0.1us |
时间精度： 1ns |
感性负载： 0.01mH-160mH 程序控制， 步进 10uH |
阻性负载： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、50Ω , 程控， 备用三个电阻 |
开关时间： ton/toff： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps） |
开关延迟： td(on)/td(off）： 0.1-10000ns@1ns （选配400/200/100ps） |
上下时间/tr/tf： 1-10000ns分辨率1ns （选配400/200/100ps） |
开关损耗/ Eon/Eoff： 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ |
√ 标配 栅极电荷单元 / Qg |
驱动电流： 0-2mA， 分辨率 0.01mA |
2-20mA， 分辨率 0.1mA |
20mA-200mA， 分辨率 1mA |
栅极电压： ±20V （选配±30V） @0.1V |
恒流源负载： 1-25A， 分辨率0.1A |
25-100A(选配200A/300A)@1A |
漏极电压： 5-100V， 步进 0.1V |
100-1200V， 步进 1.0V |
栅极电荷 Qg： 1nC-100µC |
漏极电荷 Qgs： 1nC-100µC |
源极电荷 Qgd： 1nC-100µC |
平台电压 Vgp： 0~30V， 分辨率 0.1V |
√ 标配 二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD |
正向电流： 1A-25A， 分辨率 0.1A |
25A-100A （选配200A/300A） 分辨率 1A |
反向电压： 5v-100V， 步进 0.1V |
100V-1200V， 步进 1.0v |
反向恢复时间 Trr： 1-10000ns， 最小分辨率1ns （选配400/200/100ps） |
反向恢复电荷 Qrr： 1nC-100µC， 最小分辨率 1nC； |
反向恢复电流 Irm： 1A-100A （选配200A/300A）； |
反向恢复损耗 Erec： 1-2000mJ， 最小分辨率 1uJ； |
电流下降率 dif/dt： 50-1kA/us； |
电压变化率 dv/dt： 50-1kV/us。 |
¨ 选配 短路特性测试单元/ SC |
电流： 1000A/MAX |
脉宽： 1us~100us |
栅驱电压： ±20V （选配±30V） @0.1V |
漏极电压： 5V~100V， 0.1V 分辨率 |
100V~1200V， 1.0V 分辨率 |
¨ 选配 雪崩测试单元 / UIS |
雪崩耐量/EAS： 100J |
雪崩击穿电压/2500V |
雪崩电流/IAS： 1.0-400A 分辨率 1.0A |
感性负载/0.01-160mH@10μH， 程控可调 |
¨ 选配 容阻测试单元 / CR |
扫频范围： 0.1MHz～5MHz |
漏源极电压： 1200V， 分辨率 1V |
¨ 选配 动态电阻Ron,dy
晶体管动态特性测试系统STA1200
晶体管动态特性测试系统STA1200
陕西天士立科技有限公司
专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验
