晶体管参数测试仪系统

STD2000晶体管参数测试仪系统

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259000 1

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2024-04-29 16:26:09
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陕西天士立科技有限公司

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产品简介

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf

详细介绍

 

半导体分立器件静态参数测试仪系统

 

晶体管参数测试仪系统



晶体管参数测试仪系统


陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBTMosfetDiodeBJTSCROC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))以及IV特性曲线等

 

 

一、产品信息及规格

产品型号:STD2000

产品名称:半导体分立器件静态参数测试仪系统

主机尺寸:深660*430*210(mm)

主机重量:<35kg

主机功耗:<300W

海拔高度:海拔不超过 4000m

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度: 20%RH75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下)

大气压力:86Kpa106Kpa

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%50Hz±1Hz

工作时间:连续;

 

二、产品特点

三代半:优秀的性能应对第三代半导体及传统器件,Si, sic,GaN 器件

测试品类:覆盖 25 类常见的电子元器件及 IC 类,且支持定制扩展

功能丰富:轻松表征元器件“静态特性”“IV 曲线”“Cxss”“CV

分析筛选:功能全面,配置丰富,胜任实验室场景中各类电参数表征

量产测试:1h高达 7K~12K 的测试效率,可连接“分选机”“编带机”Prober 接口、16Bin

一键加热:一键脉冲自动加热至+130°C,耗时< 1s

高压源:1400V (选配 2KV)

高流源:40A(选配 100A,200A,500A)

驱动电压:20V/10uA~100mA (选配+40V/10uA~100mA)

漏电测量:1nA 漏电持续稳定测量,表现出优秀的一致性和稳定性,更有1.5pA 微电流测量选件可供选择。

高精度:16 ADC/DAC0.1%精度,1M/S采样速率

程控软件:基于Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面

夹具工装:适配各类封装形式的器件,自动识别器件极性 NPN/PNP

校准:系统自带校准软件,也可通过 RS232 接口连接数字表进行校验

 

晶体管参数测试仪系统


三、测试范围

01. Diode / 二极管(稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥)

02. BJT / 三极管

03. Mosfet & JFET / 场效应管

04. SCR / 可控硅(单向/双向)

05. IGBT / 绝缘栅双极大功率晶体管

06. OC / 光耦

07. Relay / 继电器

08. Darlington tube / 达林顿阵列

09. Current sensor/电流传感器

10. 基准IC(TL431)

11. 电压复位IC

12. 稳压器(三端/四端)

13. 三端开关功率驱动器

14. 七端半桥驱动器

15. 高边功率开关

16. 电压保护器(单组/双组)

17. 开关稳压集成器

18. 压敏电阻

19.电压监控器


四、测试参数

漏电参数:IRICBOLCEO/S/XIDSS/XIDOFFIDRMIRRMICOFFIDGOICESIGESFIGESRIEBOIGSSFIGSSRIGSSIGKOIR(OPTO)

击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSSVDBVCBOVDRMVRRMVBBBVR VD+VD-BVDGOBVZBVEBOBVGSSBVGKO

导通参数:VCESATVBESATVBEONVFVTVT+VT-VONVDSONVDONVGSONVF(Opto-Diode)VGSTHVTMVGETHVSDIDONVSATIDONVO(Regulator)Notch = IGT1IGT4ICONVGEONIIN(Regulator)

关断参数:VGSOFF

触发参数:IGTVGT

保持参数:IHIH+IH-

锁定参数:ILIL+IL-

增益参数:hFECTRgFS

间接参数:IL

混合参数:RDSONgFSInput@Output / Regulation


五、应用场景

1测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为曲线追踪仪

2失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

3选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

4来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

5量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

6替代进口(半导体分立器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品)


晶体管参数测试仪系统

 

 

六、性能指标

 

晶体管参数测试仪系统 

 

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