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半导体分立器件静态参数测试仪系统
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))以及IV特性曲线等
产品型号:STD2000
产品名称:半导体分立器件静态参数测试仪系统
主机尺寸:深660*宽430*高210(mm)
主机重量:<35kg
主机功耗:<300W
海拔高度:海拔不超过 4000m;
环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);
相对湿度: 20%RH~75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下);
大气压力:86Kpa~106Kpa;
防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;
电网要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;
工作时间:连续;
三代半:优秀的性能应对第三代半导体及传统器件,Si, sic,GaN 器件
测试品类:覆盖 25 类常见的电子元器件及 IC 类,且支持定制扩展
功能丰富:轻松表征元器件“静态特性”“IV 曲线”“Cxss”“CV”
分析筛选:功能全面,配置丰富,胜任实验室场景中各类电参数表征
量产测试:1h高达 7K~12K 的测试效率,可连接“分选机”“编带机”Prober 接口、16Bin
一键加热:一键脉冲自动加热至+130°C,耗时< 1s
高压源:1400V (选配 2KV)
高流源:40A(选配 100A,200A,500A)
驱动电压:20V/10uA~100mA (选配+40V/10uA~100mA)
漏电测量:1nA 漏电持续稳定测量,表现出优秀的一致性和稳定性,更有1.5pA 微电流测量选件可供选择。
高精度:16 位 ADC/DAC,0.1%精度,1M/S采样速率
程控软件:基于Lab VIEW 平台开发的填充式菜单软件界面
夹具工装:适配各类封装形式的器件,自动识别器件极性 NPN/PNP
校准:系统自带校准软件,也可通过 RS232 接口连接数字表进行校验
01. Diode / 二极管(稳压、瞬态、三端肖特基、TVS、整流桥、三相整流桥)
02. BJT / 三极管
03. Mosfet & JFET / 场效应管
04. SCR / 可控硅(单向/双向)
05. IGBT / 绝缘栅双极大功率晶体管
06. OC / 光耦
07. Relay / 继电器
08. Darlington tube / 达林顿阵列
09. Current sensor/电流传感器
10. 基准IC(TL431)
11. 电压复位IC
12. 稳压器(三端/四端)
13. 三端开关功率驱动器
14. 七端半桥驱动器
15. 高边功率开关
16. 电压保护器(单组/双组)
17. 开关稳压集成器
18. 压敏电阻
19.电压监控器
漏电参数:IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH+、IH-
锁定参数:IL、IL+、IL-
增益参数:hFE、CTR、gFS
间接参数:IL
混合参数:RDSON、gFS、Input@Output / Regulation
1、测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试,主要功能为曲线追踪仪)
2、失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)
3、选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)
4、来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)
5、量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)
6、替代进口(半导体分立器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品)