BHAST高加速老化测试箱

BHAST高加速老化测试箱

参考价: 订货量:
99999 1

具体成交价以合同协议为准
2024-10-14 15:03:08
229
属性:
产地:国产;产品大小:中型;产品新旧:全新;结构类型:立式;温度范围:+105℃~+150℃;
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产品属性
产地
国产
产品大小
中型
产品新旧
全新
结构类型
立式
温度范围
+105℃~+150℃
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成都中冷低温科技有限公司

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产品简介

BHAST高加速老化测试箱,微波器件高加速寿命偏压老化测试系统。是一种用于评估微波器件在条件下的性能和可靠性的测试系统。该系统通过施加高加速偏压,模拟微波器件在实际使用中可能遇到的高温、高压等恶劣环境,以加速器件的老化过程。

详细介绍

(价格仅供参考,请以实际价格为准

BHAST高加速老化测试箱

B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统适用于IC封装,半导体,微电子芯片,磁性材料及其它电子零件进行高压、高温、不饱和/饱和湿热、等加速寿命信赖性试验,使用于在产品的设计阶段,用于快速暴露产品的缺陷和薄弱环节。测试其制品的密封性和老化性能。

BHAST高加速老化测试箱

B-HAST高加速寿命偏压老化测试系统是将被测元件放置于一定的环境温度中,(环境温度依据被测元件规格设定)给被测元件施加一定的偏置电压。同时控制系统实时检测每个材料的漏电流,电压,并根据预先设定,当被测材料实时漏电流超出设定时,自动切断被测材料的电压,可以保护被测元件不被进一步烧毁。

BHAST高加速老化测试箱 特点:

每颗器件的Vgs独立控制

实时监测每个试验器件的Id、Ig

控制上、下电时序

全过程试验数据保存于硬盘中,可输出Excel

试验报表和绘制全过程漏电流IR变化曲线

漏电流超限保护,自动切断测量回路


应用:

二极管,三极管,MOSFET,IGBT,SBD,GaN Fet, SCR以及各种封装形式的射频场效应管、射频功率器件进行温湿度下反偏试验 。



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