IGBT动态参数开关短路反向恢复测试

半导体器件动态参数测试系统

系统概述

IGBT是广泛应用于现代中、大功率变换器中的主流半导体开关器件，其开关特性决定装置的开关损耗、功率密度、器件应力以及电磁兼容性，直接影响变换器的性能。因此准确测量功率开关元件的开关性能具有极其重要的实际意义。

天光测控IGBT动态参数开关短路反向恢复测试，该系统是针对IGBT器件的开关性特性及IGBT内部续流二极管的反向恢复特性而专门设计的一套全自动测试系统，适用于电流不超过1500A和集电极电压不超过3500V的IGBT器件开关时间测试以及正向电流不超过2000A的二极管反向恢复特性的测试。

基础规格

规    格：1800×800×800（mm）

质    量：155Kg

环境温度：15～40℃

相对湿度：小于80%

大气压力：86Kpa～ 106Kpa

电网电压：AC220V±10%无严重谐波

电网频率：50Hz±1Hz

产品系列

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热  特  性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs /  DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件