技术参数：

1. 分辨率:高真空(二次电子)1.0nm at 30kV
                (背散射电子): 2.0 nm at 30 kV 
          低真空(低真空二次电子)﹕1.5 nm at 30 kV
2.放大倍数:1 to 1000000x 
3.真空系统:电子枪真空<3*10 -7Pa                     
           样品室/低真空7-500Pa
4.加速电压0.2kV to 30Kv 
5.电子束电流2pA—200nA

6.内部直径: 340mm 
接口数: 20+ 
7.样品台行程:（5轴马达控制） 
X=130mm——马达控制 
Y=130mm——马达控制 
Z=100mm——马达控制 
R=360°连续--马达控制 
T=-80°至+90°--马达控制
zui大样品高度145mm.