公司研制的连续碳纳米管、纳米线生长设备。由气流控制系统、液体注入系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，两点控温，设备顶部设有注液口、导流器。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点，是碳纳米管或膜产业化的重大突破。

公司研制的连续碳纳米管、纳米线生长设备。由气流控制系统、液体注入系统、多段温度可控多区生长系统、水冷却系统、碳纳米线或膜收集系统，红外烘干系统等组成。生长炉的温度1400℃，并可在0-1400℃之间连续可调，垂直式分布热场，两点控温，设备顶部设有注液口、导流器。本款碳纳米管或膜CVD设备可以实现连续生长不间断的特点，是碳纳米管或膜产业化的重大突破。