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此套系统H-CVD-1200S前端配有可加热到0-1000℃的蒸发器，辅助固体源蒸发，后端为双温区硫化炉，
温度控制精确，操作简便。左端配有法兰支撑架固态蒸发器器和高温反应区一起滑动。右端可配气氛
微调装置，可以准确的反应腔体内部的气体压力，带刻度的调节阀对于做低压CVD非常实用，重复性好；
真空机组装有真空粉尘过滤器以保护机械式真空泵不被硫粉尘损坏。整套系统可在1200℃以下的工艺温
度稳定气相沉积二硫化钼等二维化合物材料。
二、设备组成
HTF-1100蒸发器，HTF-1200D双温区管式炉(一体式)。
三、主要技术参数
蒸发器 | 型号：HTF-1100 工作温度：室温-1000℃ 温度：1050℃ 升温速率：30℃/min 推荐升温速率：10℃/min 控温方式：智能化30段可编程控制 工作电压：AC220 V 额定功率：1000W 控温精度：±1℃ 加热元件：电阻丝 加热区长度（mm）：150mm |
双温区 | 型号：HTF-1200D 技术参数： 额定功率(KW):3 额定电压(V):AC220v 50/60 Hz 温度(℃):1200（1 hour） 持续工作温度(℃）：1100 升温速率（℃/min）：≤50 炉管尺寸（mm）： 高纯石英管Φ50×1500mm 加热区长度（mm）：150/300mm 恒温区长度（mm）:100/120mm 控温方式:模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能 控温精度(℃):±1 加热元件:电阻丝 |
配件 | 配真空粉尘过滤器，DN25手动蝶阀用于控制炉管内压力，防腐型数显真空计，三路混气系统（可选） |
