基本技术参数
　　1、半导体冷阱：
　　　（1）容积≈0.7dm3(用工业酒精）
　　　（2）额定温度：-60℃
　　　（3）额定工作电流：30A
　　　（4）冷却水、水压：0.1-0.2MPa 冷却水温度≤25℃
　　2、温度调节范围：-60℃-室温
　　3、试样冷却时间：180±0.5秒
　　4、提出夹持器并于0.5秒内冲击试样
　　5、冲击位置：
　　　（1）冲击器与试样之间距离为25±1毫米
　　　（2）从冲击位置到试样夹持器下端的距离为11±0.5毫米
　　　（3）冲击行程为40±1毫米
　　6、气源泉压力：0.41MPa
　　7、电源电压交流：380V±10% 50Hz　　功率：0.8KVA
　　8、外形尺寸：1100×600×1100mm
　　9、重量：（毛重）280kg