高温高湿反偏试验系统（H3RTB)-苏州安而森试验设备有限公司手机版

产品简介

高温高湿反偏试验系统（H3RTB) 高温高湿反偏试验系统（H3RTB)用于功率半导体器件的环境老化试验，比如 Si/SiC/GaN 材料的IGBT/DIODE/MOSFET/HEMT/BJT/SCR 等器件的高温，高湿，偏压条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程，同时可附带评价器件外观的寝蚀试验。 ......

详细介绍

产品型号		AS-H3TRB-C8	AS-H3TRB-C16	AS-H3TRB-H8
箱体尺寸
试验箱内容积	升（L)	408	408	408
内箱尺寸（mm）	宽（W)	600	600	600
	高（H)	800	800	800
	深（D)	850	850	850
外箱尺寸（mm）	宽（W)	2000	2000	2000
	高（H)	19150	19150	19150
	深（D)	1180	1180	1180
技术参数
适用器件		全桥、SCR、三极管、场效应管等		IGBT/DIODE/MOSFET/BJT/SCR 等器件
试验箱温度范围		-20~150℃		-70~180℃
试验通道		8个	16个	8个
电源数量		根据客户需求提供≤8台
试验电源		≤300V		≤6000V
老化板		可按客户的器件封装定制老化板。
供水方式		手动和自动补水
水质要求		纯水