牛津离子束刻蚀机Ionfab 300 IBE

离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项，包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调，以确保获得速率更快且重复性更好的工艺结果。

。多模式功能
。能够与其它等离子体刻蚀和沉积设备相集成
。单晶圆传送模式或集群式晶圆操作
。双束流配置
。更低的表面薄膜粗糙度
。更佳的批次均匀性和工艺重复性
。准确终点监测 —— SIMS，发射光

产品特点:

· 质量薄膜高 ——超低污染

· 产量高，紧凑的系统体积设计 ——运行成本低

· 已获得的高速衬底架（高达1000RPM）设计，并配备了白光光学监视器（WLOM）——更为准确的实时光学薄膜控制

· 配置灵活 ——适于*的研究应用

· 灵活的晶圆操作方式 —— 直开式、单晶圆传送模式或者带机械手臂的盒对盒模式

应用:

· 磁阻式随机存取存储器（MRAM）

· 介电薄膜

· III-V族光电子材料刻蚀

· 自旋电子学

· 金属电极和轨道

· 超导体

· 激光端面镀膜

· 高反射（HR）膜

· 防反射（AR）膜

· 环形激光陀螺反射镜

· X射线光学系统

· 红外（IR）传感器

· II-VI族材料

· 通信滤波器