双极板材料四探针低电阻测试仪

双极板材料四探针低电阻测试仪

误差： 100uA.1mA.10mA.100mA： 0.1%； 

显示：4.3寸液晶屏、直读电阻值、电阻率、电导率、温度、电流、电压等数据

标配标准件：a.标准校准电阻1个；b.标准高度校准件1个

测量电阻灵敏度达0.01μΩ. ，测试电流能达到10A 

电流输出：直流电流?0～1000mA?连续可调，由交流电源供电。加压方式：自动

方块电阻范围：10-6～2×102Ω/□   

GB/T 6617-1995 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

电阻分辩率：0.01μΩ.电脑和打印机依据客户要求配置；    

分辨率：  醉小1μΩ

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、压强值、单位自动换算，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.参数资料/ index

工作电源: 输入: AC 220V±10% ,50Hz? 功 耗：<30W

温湿度范围：常温-50度；湿度：20%-98%

主机外形尺寸：330mm*340mm*120mm

分辨率：  0.1uV  1uV  10uV  100uV

量程：1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，1000mA,?

测量精度±（0.1%读数）

在中国标准分类中，四探针法涉及到半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、、、电工合金零件、特种陶瓷、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、电阻器、半导体集成电路、工程地质、水文地质勘察与岩土工程、水环境有毒害物质分析方法、电工材料和通用零件综合、半金属、元素半导体材料、金属无损检验方法。

量程误差：2mV 档: 0.1%读数+ 6个字

样品高度量程和精度：高度测量范围：0.001-10.001mm，测量分辨率0.001mm

测量电压量程：?2mV?  20mV? 200mV?2V?

铝用炭素材料检测方法 第2部分 阴极炭块和预焙阳极室温电阻率的测定 GB/T6717、GB/T 24525-2009、YS/T63.2炭素材料电阻率测定方法.；ISO 11713-2000、YS/T63.2-2005和YS/T 64-1993标准方法测试阴极炭块、预焙阳极、阳极糊阴极糊和炭素制品常温下的电阻率。

GB/T 1551-1995 硅、锗单晶电阻率测定 直流两探针法

电源交流/ AC power   220±10% 50HZ/ 60HZ

GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法

电流精度：±0.1%读数

分辨率： 0.1uV，1uV，10uV，100uV 

提供中文或英文两种语言操作界面选择，满足国内及国外客户需求

显示方式：液晶显示电阻精度：≤0.3%

测试电流范围：0.1μA ，1μA，10μA，100μA，1mA，10mA，100 mA

电阻率： 1×10-6～2×106Ω.cm、:1A，10A  ： 0.15%电阻：1×10-5～2×105Ω

直流恒流源： 输出： 100uA.1mA.10mA.100mA.1A.10A. 

电阻测量范围：

国际标准分类中，四探针法涉及到半导体材料、金属材料试验、绝缘流体、兽医学、复合增强材料、电工器件、无损检测、集成电路、微电子学、土质、土壤学、水质、电子显示器件、有色金属。

GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

电阻率：2×10-8—20kΩ·cm;电阻：0.01μΩ—20kΩ；

压力范围：0-1000kg（0-4MPa）.

电源：220±10% 50HZ/60HZ 

测试方式: 四探针测量（体电阻率）和四端法（接触电阻测量）

四端测试法是目前较*之测试方法，主要针对高精度要求之产品测试；本仪器广泛用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

恒压时间：0-99.9S

PC软件界面：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率、电阻率、压强等.

20mV. 200mV. 2V档： 0.1%读数+ 2字:20mV. 200mV. 2V. accuracy： 0.1%

电压量程： 2mV.20mV. 200mV.2V 

样品形状为正方形（镀金电极为5cm×5cm)，面积为25cm2（其他规格定制）

测量误差±5%

电导率：5×10-6～1×108ms/cm

本仪器配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电导率单位自动选择，BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。选配：配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成图表和报表。

17.标配外选购：

计量证书1份

GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法

电阻率范围：10-7～2×103Ω-cm

误差：±.2%读数±2字

工作电源：220±10% 50HZ/60HZ