霍尔效应传感器（磁场测量传感器）-杭州谱镭光电技术有限公司手机版

详细介绍

霍尔效应传感器可为科学研究、医疗健康、航空航天和工业应用提供高性能的模拟磁场测量。

霍尔效应传感器（磁场测量传感器）

Figure 1. sensor on test assembly

产品特点:

• 超高分辨率

• 超低噪音性能

• 可在极低温条件下使用

• 大动态范围

• 高线性

• 超低功耗运行

简述:

利用石墨烯固有的低噪声特性，无需信号调节即可提供出色的场分辨率。石墨烯的二维性质很大程度地降低了平面霍尔效应，并且石墨烯的稳定性和电子迁移率提供了 *的温度和磁场工作范围。

应用包括：

• 精密磁场测量

• 场梯度和边缘场的精确映射

• 高精度位置，旋转和速度感应

• 低温下的超低功率场测量

优点:

可满足各种应用需求。可以利用的优点包括：

• 可以在 < 1.8 K - 353 K的温度下运行

• 在大磁场范围(> 9 T)内ppb磁场变化的分辨率

• 低至 10 nA的工作电流，节省了功率，仅产生5 pW的散热

• 平面霍尔效应可忽略不计，有助于精确地确定仪器的摆放位置场方向

需要特定要求，请联系我们info<info>

性能特点:

Parameter	Symbol	Value (typical)	Unit	Notes
Maximum operating temperature range	T	1.8 to 353	K	Performance guaranteed within this range. Operation <1.8 K is possible
Measurable field range	B	>+/- 9	T	See Fig.2. At 1.8K, 0-9 T is possible with reduced linearity
Open Circuit Sensitivity	S	1100	V/AT	@ room temperature. see Fig 3 for change with temperature
Open Circuit Hall Voltage	VH	110	mV	I=IN ａnd B=1 T, increases with reducing temperature
Spectral Noise Density	SDT	7	µ𝑇⁄√𝐻𝑧	10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.7		1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.3		10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.07		100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
Resolution, based on SDT on a 1 T field	RSND	7	ppm	10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.7		1 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.3		10 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
		0.07		100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
RMS noise	T2	40	T	0.1 – 10 Hz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
RMS noise	T2	28	T	10 – 100 kHz, 2 VRMS (equivalent to I=IN)
Linearity of Hall Voltage % of full scale	FL	<0.5	%	-1 to 1 T. See Fig 2 for full 0-9 T range
Corrected Linearity		<0.01	%	-1 to 1 T, after 3rd order correction
Planar Hall Effect	HPL	<10	µT	At I=IN , 1 T
Nominal Supply Current	IN	0.1	mA	Can be operated down to I=10 nA
Maximum Supply Current	Imax	1	mA
Supply Side Internal Resistance	RIN	22	kΩ	B=0 T
Hall Side Internal Resistance	ROUT	22	kΩ	B=0 T
Offset Voltage	VR0	8	mV	Typical offset voltage at I=IN ａnd B=0 T
		0.6	mV	Min offset voltage at I=IN ａnd B=0 T
		34	mV	Max offset voltage at I=IN ａnd B=0 T
Temperature Coefficient of Sensitivity	TCS	-4.7	V/AT/K	@ room temperature, IN

高场和低温性能

Figure 2. Hall Voltage output at 295 K, from 0 to 9 T

Figure 3. Sensitivity as a function of temperature from 1.8 K to 300 K. Measured at 1T.

封装信息

有效面积：1.3 x 1.3 mm 位于封装的中心封装类型: 20-pin LCC, 陶瓷,无镍, 表面贴焊。

	Pin	Notes
VIN+	1 or 11	Input voltage can be supplied with either polarity
VIN-	11 or 1	Input voltage can be supplied with either polarity
VH+	6 or 16	Hall voltage polarity will depend on VIN polarity ａnd field polarity
VH-	16 or 6

产品简介

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