IGBT功率器件动态参数测试仪主机可执行非破坏性的瞬态测量测试，包括对半导体器件绝缘栅双极晶体管（IGBT），功率MOSFET，二极管，双极型器件的测试头。主机包括所有测试设备和必要的软件分析，可执行电阻和电感的开关时间，开关损耗，栅极电荷，TRR /的Qrr和其他瞬态测试。

IGBT功率器件动态参数测试仪概述

• 测试电压：大1200 VDC 200（短路电流可达1000A）
• 定时测量：低为1 ns
• 漏电流限制监视器
• -  MOSFET开关时间测试， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢复时间测试，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
  -  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
  -  MOSFET栅电荷Qg测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  IGBT感性开关时间测试，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
  -  IGBT短路耐量测试，Max ISC=1000A
  
  测试标准： 
  - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪选项

• 额外的电源供应器
• 额外的测试头
• 大包装适配器

ITC57300mos管功率器件动态参数测试仪测试头

• ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472开关时间
• ITC57220 - TRR /电源，MOSFET和二极管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
• ITC57230 - 栅极电荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
• ITC57240 - 电感式开关时间为IGBT，MIL-STD 750方法3477
• ITC57250 - （ISC）短路耐受时间，MIL-STD-750方法3479