分辨率

1.2 nm @ 30 kV
  3.0 nm @ 1 kV
  2.0 nm @ 1 kV 减速模式*1
  3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2

放大倍率

10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
  30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)

电子光学系统

电子枪

ZrO /W 肖特基式电子枪

加速电压

0.5 - 30 kV   (0.1 kV 步进)

着陆电压

减速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1

最大束流

> 200 nA

探测器

低位二次电子探测器

低真空模式*2

真空范围: 10 - 300 Pa

马达台

马达台控制

5 - 轴自动 (优中心)

可动范围

X：0～100mm
  Y：0～50mm
  Z：3～65mm
  T：-20～90°
  R：360°

最大样品尺寸

最大直径: 200 mm
  最大高度: 80 mm

选配探测器

·           高分辨率顶位二次电子探测器＊1

·           高灵敏度低真空探测器 (UVD)

·           5分割半导体探测器 (PD-BSD)*3

·           能谱仪 (EDS)

·           波谱仪 (WDS)

·           背散射电子衍射探测器 (EBSD)