上述单器件电流源能满足输入电压在4~15 V左右之间变化时，输出恒定电流。为了获得更宽的电压范围，需要对上述电路进行改进，如图5.

　　如图5所示，通过把两个相同大小的JFET管串联，可以适应更大的电压变化范围，此时，可以让Vin在2Vp和2Vb之间变化时（即2Vp<Vin<2Vb），在JFET管的漏端输出恒定的电流IR.而且电流的大小取决于单个JFET管的尺寸，即低浓度P型注入区的长度L和宽度W.假定Vp为4 V,Vb为15 V,则图5的双器件电流源结构允许的电压范围就是8~30 V.

　　根据上述原理进行类推，当串联JFET管的个数为N（N为自然数）时（见图6），它允许的工作电压范围就是N×Vp~N×Vb,而且当N×Vp<Vin<N×Vb时，电路能输出恒定的电流。需要注意的是，当进行2个以上的JFET管串联时，各个JFET管的尺寸必须相同（也即长度L和宽度W必须相等），否则电路的分压比会发生变化，电路就有可能会无法正常工作。在这个前提下，输出恒定电流IR的大小取决于其中单个JFET管的尺寸。

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JFET管的沟道区为低浓度的P型注入区，P型沟道被N+和N阱上下夹住，A16B-1200-0440因此可以把N+和N阱看成JFET管的栅极（Gate），把两个SP注入区一个看成JFET管的源端（Source），另一个看成JFET管的漏端（Drain）。

　　因此在图2中，拐点Vp就是该P沟道JFET管的夹断电压，当-Vds电压超过Vp后，JFET管产生夹断，源漏电流开始趋于稳定。拐点Vb为该P沟道JFET管的击穿电压，当-Vds电压大于Vb后，JFET管产生击穿，Ids增大。

　　在前面的夹层电阻测试时，实际上是把PJFET管的栅端（Gate）和源端（Source）短接，形成了图4所示的连接结构。

　　由图4可知，只要把该JFET管的栅源短接且都接到输入工作电压Vin上，则当电压在Vp和Vb之间变化时（即Vp<Vin<Vb），该JFET管的漏端就能输出恒定的电流IR.恒定电流的大小取决于该JFET管的尺寸，也即低浓度P型注入区的长度L和宽度W（见图1）。

　　一般来说，Vp在3~4 V左右，而Vb可以在10~15 V左右甚至更高，当然，由于不同工艺间的差异，Vp和Vb的大小会有所不同。

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