由图4可知，只要把该JFET管的栅源短接且都接到输入工作电压Vin上，则当电压在Vp和Vb之间变化时（即Vp<Vin<Vb），该JFET管的漏端就能输出恒定的电流IR.恒定电流的大小取决于该JFET管的尺寸，也即低浓度P型注入区的长度L和宽度W（见图1）。

　　一般来说，Vp在3~4 V左右，而Vb可以在10~15 V左右甚至更高，当然，由于不同工艺间的差异，Vp和Vb的大小会有所不同。

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    JFET管的沟道区为低浓度的P型注入区，P型沟道被N+和N阱上下夹住，A20B-8001-0500因此可以把N+和N阱看成JFET管的栅极（Gate），把两个SP注入区一个看成JFET管的源端（Source），另一个看成JFET管的漏端（Drain）。

　　因此在图2中，拐点Vp就是该P沟道JFET管的夹断电压，当-Vds电压超过Vp后，JFET管产生夹断，源漏电流开始趋于稳定。拐点Vb为该P沟道JFET管的击穿电压，当-Vds电压大于Vb后，JFET管产生击穿，Ids增大。

　　在前面的夹层电阻测试时，实际上是把PJFET管的栅端（Gate）和源端（Source）短接，形成了图4所示的连接结构。

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