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美国CELTRON STC称重传感器S型称重传感器：

STC-5kg，STC-10kg，STC-25kg，STC-50kg，STC-75kg，STC-100kg，STC-250kg，STC-500kg，STC-750kg，STC-1t，STC-1.5t，STC-2t，STC-2.5t，STC-5t，STC-7.5t，STC-10t，STC-20t

STC-50kgSS，STC-75kgSS，STC-100kgSS，STC-250kgSS，STC-500kgSS，STC-750kgSS，STC-1t SS，STC-1.5Tss，STC-2tSS，STC-2.5tSS，STC-5tSS，STC-7.5tSS，STC-10tSS，STC-20tSS

STC-50kgXS，STC-75kgXS，STC-100kgXS，STC-250kgXS，STC-500kgXS，STC-750kgXS

STC-50lb，STC-100lb，STC-150lb，STC-200lb，STC-300lb，STC-500lb，STC-750lb，STC-1Klb，STC-1.5Klb，STC-2Klb，STC-2.5Klb，STC-3Klb，STC-5Klb，STC-7.5Klb，STC-10Klb，STC-15Klb，STC-30Klb，STC-40Klb

美国CELTRON DSR/DSR-SS梁式称重传感器:

DSR-1Klb，DSR-1.5Klb，DSR-2Klb，DSR-2.5Klb，DSR-3.5Klb，DSR-10Klb，DSR-15Klb，DSR-20Klb，KDR-25Klb，DSR-50Klb，DSR-75Klb

DSR-5KSS，DSR-10KSS，DSR-25KSS，DSR-50KSS，DSR-75KSS，DSR-HSS

度对传感器输出的影响

温度改变而引起传感器输出变化是由压电材料（敏感芯体）特性所造成的。根据压电材料的分类，石英晶体受温度影响zui小，而人工合成晶体的使用温度甚至高于石英；但在商业化的压电加速度传感器中zui多使用的压电材料还是压电陶瓷。压电陶瓷敏感芯体的输出高温时随温度上升而增大，低温时随温度降低而减小；但传感器输出与温度间并不呈线性变化，一般说低温时的输出变化比高温时的要大。另因为各传感器的温度响应很难保持*，所以实际使用中传感器的输出一般很少用温度系数进行修正。典型温度响应曲线或温度系数一般只作为对传感器温度特性的衡量。压电陶瓷对温度响应除材料本身特性之外，生产工艺也将直接影响压电材料对温度的响应，而同种材料对温度响应的离散度更是如此。同样是锆钛酸铅材料，不同的厂商由于采用不同的生产工艺，使得相同材料的压电陶瓷而其各自的使用温度范围，温度响应和温度响应的离散度相差甚大。综合对压电材料的基础研究和生产加工工艺，目前国内压电陶瓷的温度特性与*进水准相比还有一定差距；为确保用户对传感器的特殊要求，北智采用进口压电陶瓷，使传感器的高温使用温度可在 +250^oC 下*使用，而且温度响应及其离散度都好于国产压电陶瓷。

不同的敏感芯体结构设计对温度的变化的响应会产生不同的结果。由于不同材料有不同的线膨胀系数，因此温度变化必然使压电材料和金属配件之间产生因线膨胀系数不同而造成的应力变化；这种由温度产生的应力使压缩式和弯曲梁型的敏感芯体产生输出信号，有时这种温度变化引起的输出会大于振动测量信号（特别在低频测量中）。需要特别指出温度变化有稳态和瞬态两种，传感器输出灵敏度随温度变化通常是指稳态高低温度状态对信号输出的影响。

传感器的基座应变灵敏度

传感器受被测物体在传感器安装处应变的影响，可能导致传感器输出的变化。传感器的基座应变灵敏度一般由传感器基座刚度，传感器与被测件的接触面积以及敏感芯体结构设计形式所决定。剪切结构形式的敏感芯体与传感器基座间的接触面积很小，因而剪切芯体受基座应变的作用也相对较小，且这种应变并不直接导致压电陶瓷的输出。所以剪切敏感芯体传感器的基座应变灵敏度指标通常比压缩式的要好，在无需改变传感器的基座刚度以及与被测件的接触面积情况下（改变这两点都将影响传感器的频率响应指标），剪切型传感器一般都能满足大部分结构测量的要求。

声场和磁场对传感器的影响 　

声波和磁场对传感器的作用也都可能引起信号输出，这种输出的大小与传感器灵敏度的比值被称作为压电传感器的声灵敏度和磁灵敏度。

声灵敏度是表示传感器在强声场的作用下，加速度传感器的输出值。加速度信号输出主要是声波通过对传感器外壳体的作用，再由外壳体传输给内部的敏感芯体而导致的信号输出。zui直接减小传感器声灵敏度的方法是增加传感器外壳的厚度，绝大多数传感器的这一指标都能满足通常的测量条件。

磁灵敏度是表示传感器在强交变磁场作用下，加速度传感器的输出值。传感器内部敏感芯体受磁力的作用而导致信号输出是传感器产生磁灵敏度的基本原因。因此在传感器设计中，金属零部件尽量采用无磁或弱磁的材料是降低传感器磁灵敏度zui直接的措施。另外双层屏蔽壳结构形式也能较好地减小传感器的磁灵敏度，同时双层屏蔽壳形式还能有效地防止磁场对输出电信号的干扰。

电容式压力传感器简介  

科学技术的不断发展*地丰富了压力测量产品的种类，现在，压力传感器的敏感原理不仅有电容式、压阻式、金属应变式、霍尔式、振筒式等等但仍以电容式、压阻式和金属应变式传感器zui为多见。   金属应变式压力传感器是一种历史较长的压力传感器，但由于它存在迟滞、蠕变及温度性能差等缺点，其应用场合受到了很大的限制。   压阻式传感器是利用半导体压阻效应制造的一种新型的传感器，它具有制造方便，成本低廉等特点，但由于半导体材料对温度极为敏感，所以其性能受温度影响较大，产品的*性较差。   电容式传感器是应用zui广泛的一种压力传感器，其原理十分简单。一个无限大平行平板电容器的电容值可表示为：   C=   ε   s/d（ε   为平行平板间介质的介电常数，d   为极板的间距，   s   为极板的覆盖面积）   改变其中某个参数，即可改变电容量。由于结构简单，几乎所有电容式压力传感器均采用改变间隙的方法来获得可变电容。电容式传感器的初始电容值较小，一般为几十皮法，它极易受到导线电容和电路的分布电容的影响，因而必须采用*的电子线路才能检测出电容的微小变化。可以说，一个好的电容式传感器应该是可变电容设计和信号处理电路的*结合。