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硅(si)自由空间型带放大的光电探测器是一种能够将光信号转换为电信号的器件。其基本工作原理是基于光电效应,当光子照射到探测器的光敏材料上时,光子的能量被材料中的电子吸收。如果光子能量足够大,电子就会从束缚态跃迁到自由态,从而形成光生载流子(电子-空穴对)。这些光生载流子在电场作用下定向移动,形成电流或者产生电压变化,实现了光信号到电信号的转换。
光电探测器
主要类型
- 光电二极管:
- 这是光电探测器之一。它具有体积小、响应速度快、灵敏度较高等特点。根据其材料和结构的不同,可以分为普通光电二极管、PIN光电二极管和雪崩光电二极管。
- 普通光电二极管结构相对简单,由PN结组成。PIN光电二极管在P区和N区之间增加了一层本征半导体(I层),它可以增加光的吸收区域,减少载流子的复合概率,从而提高了灵敏度和响应速度。雪崩光电二极管则是利用了雪崩倍增效应,当光生载流子在高电场区域运动时,会碰撞电离产生更多的载流子,从而使光电流得到倍增,它适用于检测微弱光信号。
- 光电倍增管:
- 光电倍增管是一种高灵敏度的光电探测器。它主要由光电阴极、倍增极和阳极组成。当光子照射到光电阴极时,光电阴极发射出光电子,这些光电子在电场作用下加速飞向倍增极。倍增极表面涂有二次发射材料,光电子撞击倍增极后会产生更多的二次电子,这些二次电子又会被下一级倍增极加速并产生更多的电子,经过多个倍增极的倍增作用,最终在阳极收集到大量的电子,形成很强的电流信号。光电倍增管常用于极微弱光信号的检测,如在光谱分析中的荧光检测、核辐射检测等领域。
- 光电导探测器:
- 光电导探测器是基于光电导效应工作的。当光照在光电导材料上时,材料的电导率会发生变化。这是因为光生载流子增加了材料内部的载流子浓度,从而改变了材料的电阻。通过检测材料电阻的变化或者在材料两端施加电压来检测电流的变化,就可以得到光信号。常见的光电导材料有硫化镉(CdS)、硒化镉(CdSe)等。光电导探测器的优点是结构简单、成本较低,在一些对响应速度要求不高的可见光和红外光检测领域有广泛应用。
性能指标
- 响应度:它表示光电探测器对光信号的敏感程度,定义为单位光功率照射下产生的光电流(或光电压)大小。响应度越高,探测器在相同光功率下产生的电信号越强。例如,一个响应度为1A/W的探测器,在1W光功率照射下,会产生1A的光电流。
- 响应速度:是指光电探测器对光信号变化的快速响应能力,通常用上升时间和下降时间来衡量。上升时间是指光信号从10%上升到90%峰值所需的时间,下降时间是指光信号从90%下降到10%峰值所需的时间。在高速光通信等领域,需要响应速度快的光电探测器来准确接收和处理快速变化的光信号。
- 探测率:用于衡量光电探测器探测微弱光信号的能力。它与探测器的噪声等效功率(NEP)有关,探测率越高,探测器对微弱光信号越敏感。噪声等效功率是指探测器产生的噪声信号等效于单位光功率产生的信号时的光功率大小。
- 光谱响应范围:指光电探测器能够有效响应的光的波长范围。不同类型的探测器由于材料和结构的不同,具有不同的光谱响应范围。例如,硅光电二极管的光谱响应范围主要在可见光和近红外光区域,而硫化铅(PbS)光电导探测器则对红外光比较敏感。
应用领域
- 光通信领域:光电探测器是光通信系统中的关键部件。在光纤通信中,光信号经过长距离传输后到达接收端,光电探测器负责将光信号转换为电信号,以便后续的信号处理和数据恢复。例如,在高速率的100Gbps或更高速率的光通信链路中,需要使用响应速度快、灵敏度高的光电探测器,如PIN光电二极管或雪崩光电二极管,来准确接收光信号并减少信号传输过程中的误码率。
- 光谱分析:在光谱仪等仪器中,光电探测器用于检测经过色散后的不同波长的光的强度。通过对光谱中各波长光强的测量,可以分析物质的成分、结构等信息。例如,在拉曼光谱分析中,光电探测器可以检测拉曼散射光的强度和波长分布,从而确定样品中分子的振动和转动信息,用于化学物质的鉴定和结构分析。
- 环境监测与成像:在环境监测方面,光电探测器可以用于检测大气中的光辐射强度,如紫外线强度监测。通过使用对紫外线敏感的光电探测器,结合适当的光学系统,可以实时监测大气中的紫外线指数,为人们的户外活动提供防晒参考。在成像领域,光电探测器阵列(如CCD和CMOS探测器)被广泛应用于数码相机、摄像机等设备中,用于将光学图像转换为数字图像。例如,在数码相机中,光线通过镜头聚焦在CMOS探测器上,探测器将光信号转换为电信号,经过信号处理后生成数字照片。
产品说明
硅(si)自由空间型带放大的光电探测器, 由硅(si)光电二极管+可调增益放大器集成封装而成。光灵敏范围从紫外到近红外, 典型光谱范围覆盖 190nm~1100nmo PDA 系列带放大的光电探测器内置低噪声跨阻放大器(TIA)或低噪声TIA后接电压放大器。 本产品信号系列属于可调增益的版本, 具备八个定量增益档位, 满足您不同光强条件下的光电探测应用开发。
参数型号
型号 | BOS mount | BOS36A2 | BOS100A2 |
机械尺寸 | |||
尺寸 | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) | 2.79"x2.07"x0.89"(70.9mmx52.5mmx22.5mm) |
基础参数 | |||
工作温度 | 10 ~40 | 10 ~40 | 10 ~40 |
储存温度 | 20 ~70 | 20 ~70 | 20 ~70 |
波长(nm) | 放大型可调增益底座, 兼容各种硅(si)光电二极管 | 190nm~1100nm | 320nm~1100nm |
供电接口 | LUMBER G RSMV3- FAMALE | LUMBER G RSMV3- FAMALE | LUMBER G RSMV3- FAMALE |
支杆接口 | M4X2 | M4X2 | M4X2 |
光学接口 | SM1X1 , SM0.5X1 | SM1X1 , SM0.5X1 | SM1X1 , SM0.5X1 |
光敏面深度 | 0.13" (3.3mm) | 0.13" (3.3mm) | 0.13" (3.3mm) |
探测器净重 | 0.10 kg | 0.10 kg | 0.10 kg |
宽带范围 | DC~12MHZ | DC~12MHZ | DC~11MHZ |
增益 GAIN | Hi-Z 负载:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω负载:0.75KV/A~2.38 MV/A | Hi-Z 负载:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω负载:0.75KV/A~2.38 MV/A | Hi-Z 负载:1.51KV/A~4.75 MV/A; 50Ω负载:0.75KV/A~2.38 MV/A |
信号幅值 | 0 V~10 V 0-5V | 0 V~10 V 0-5V | 0 V~10 V 0-5V |
增益调节方式 | 旋钮档位式调节, 0~70dB, 每 10dB一档, 共88档。 带宽与增益成反比。 | 旋钮档位式调节, 0~70dB, 每 10dB一档, 共88档。 带宽与增益成反比。 | 旋钮档位式调节, 0~70dB, 每 10dB一档, 共88档。 带宽与增益成反比。 |
NEP | NEppd*GAIN | 3.25~75.7pw/HZ1/2 | 2.67~71.7pw/HZ1/2 |
有效探测面积 | 从1mm到48mm各种尺寸探测器可供选择 | 13mm2 3.6mmx3.6mm | 75.4mm2 Φ9.8mm |
供电电源 | LDS12B(DP), ±12VDC稳压线性电源, 6W, 220VAC (需单独购买) | LDS12B(DP), ±12VDC稳压线性电源, 6W, 220VAC (需单独购买) | LDS12B(DP), ±12VDC稳压线性电源, 6W, 220VAC (需单独购买) |
供电开关 | 滑动开关 | 滑动开关 | 滑动开关 |
信号接口 | BNC母座 | BNC母座 | BNC母座 |