CRT(阴极射线管)荧光粉
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CRT(阴极射线管)荧光粉

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产品简介

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CRT(阴极射线管)荧光粉是一种能够吸收特定波长的光(通常是紫外线或可见光),然后将吸收的能量以光的形式再发射出去的材料。这种再发射光的波长通常不同于吸收光的波长,而且发射过程具有一定的时间延迟。从物理化学角度看,它是一种固态粉末状物质,主要成分包括基质材料和激活剂等。

详细介绍

CRT(阴极射线管)荧光粉是一种能够吸收特定波长的光(通常是紫外线或可见光),然后将吸收的能量以光的形式再发射出去的材料。这种再发射光的波长通常不同于吸收光的波长,而且发射过程具有一定的时间延迟。从物理化学角度看,它是一种固态粉末状物质,主要成分包括基质材料和激活剂等。

CRT(阴极射线管)荧光粉

荧光粉


成分构成

- 基质:是构成荧光粉的主要材料,为荧光粉提供基本的晶体结构和物理化学性质。常见的基质材料有铝酸盐、硅酸盐、钨酸盐、磷酸盐等。不同的基质材料具有不同的晶体结构和能带特性,会影响荧光粉的发光性能。

- 激活剂:是将稀土离子或过渡金属离子(如 Eu2+Mn2+Ce3+等)杂质渗入晶体,有效形成发光中心的物质。它们通过取代基质中的金属离子,造成晶格扰动而形成发光中心,决定了荧光粉的发光颜色和效率。例如,铕(Eu)离子常作为红色荧光粉的激活离子,铽(Tb)离子是绿色荧光粉的重要激活离子。

- 敏化剂:可以吸收能量并将其传递给激活剂,增强荧光粉的发光强度和效率。敏化剂的存在可以拓宽荧光粉的激发光谱范围,使荧光粉能够更有效地吸收外界能量并转化为荧光发射。

- 助熔剂:能够降低基质的重结晶温度,使激活剂更容易进入基质点阵之中,与激活剂共同影响发光中心。助熔剂可以改善荧光粉的晶体结构和发光性能,提高荧光粉的稳定性和一致性。

- 共激活剂:与激活剂协同作用,进一步改善荧光粉的发光性能。共激活剂的加

入可以调节激活剂的周围环境,增强激活剂的发光效果。

- 疏松剂:有助于改善荧光粉的分散性和透气性,使荧光粉在应用过程中能够更好地发挥作用。

发光原理

荧光粉的发光过程是一个光致发光的过程

首先,荧光粉被外界光激励,激活剂离子的最外层电子吸收能量,并从基态跃迁至更高的激发态;之后,由于高激发态下电子的振动态较高,电子会以声子的形式将能量传递给周围晶格,并快速弛豫到激发态的振动能级点;接着,电子由激发态回到基态,并在此过程中将激发时吸收的部分能量以光辐射的形式释放;最后,电子在基态下从振动态弛豫到振动态,完成光致发光的全过程。

荧光粉的分类

- 按基质材料分类:可分为铝酸盐荧光粉、硫及硫的氧化物荧光粉、硅酸盐荧光粉、钨/铝酸盐荧光粉和磷酸盐荧光粉等。不同基质材料的荧光粉具有不同的发光特性和应用场景,例如铝酸盐荧光粉具有较高的发光效率和稳定性,常用于节能灯和显示屏;硅酸盐荧光粉化学稳定性好,易被近紫外光高效激发,可用于近紫外 LED 灯。

- 按激发光源分类:

- 紫外灯用荧光粉:在波长较短的紫外线激发下,发出波长较长紫外线的发光材料,可分为治疗灯用荧光粉和诱虫紫外灯用荧光粉等。

- 蓝光LED灯用荧光粉:能够被蓝光LED芯片激发,并发出可见光的光致发光荧光粉。常用的有YAG:Ce3+黄色荧光粉等。

- 近紫外LED灯用荧光粉:能被近紫外LED芯片激发,并发出可见光的光致发光荧光粉,常用荧光粉种类有硅酸盐、卤磷酸盐、硅基氮氧化物等。

- 阴极射线荧光粉:在阴极电子束的撞击下能够发光,常用于示波器、雷达显示器等。

应用领域

- 照明领域:在节能灯、高压汞灯、LED灯等照明设备中广泛应用。例如,节能灯中的荧光粉能够吸收灯管内汞发出的紫外线,并将其转化为可见光,提高照明效率。

- 显示领域:是彩色电视机、显示器、投影仪等设备的关键材料。通过控制不同荧光粉的混合比例和激发条件,可以在阴极射线或紫外线的激发下形成不同颜色的光,实现彩色显示。

- 生物医学领域:可用于生物标记、荧光成像等。例如,将荧光粉与生物分子结合,用于标记细胞、蛋白质等生物样本,以便在显微镜下观察和研究。

- 防伪领域:荧光粉的特殊发光特性可用于制作防伪标识,如在证件、商标等上添加荧光粉,通过特定的光源照射可以验证真伪。

- 艺术装饰领域:用于制作荧光颜料、荧光涂料、荧光塑料等,可应用于艺术绘画、装饰品、广告等方面,增加视觉效果。


产品说明

温度会影响荧光粉的发射特性。这些特性包括发射强度、峰值波长(发射和激发)、光谱形状、衰减和上升时间。通过测量一种或多种特性,就可以确定荧光粉的温度;以这种方式使用的荧光粉被称为热测温荧光粉,通过将它们合并到一个系统中,可以确定系统的温度。

峰值波长的变化通常不足以用于测量温度。有一个例外是Y2O3:Eu的激发峰,其位移最多可达0.6 nm/K

一种常见的技术是测量两个发射峰的比率。该材料通常包含具有多个发射峰的单一镧系元素激活剂,或两种不同的激活剂,每种激活剂都有自己的发射峰。升高温度会改变该比率。高能量激发态峰的发射强度相对于低能量激发态峰的发射强度大。

测量上升时间可以作为衰减时间的替代方法,温度会影响电子在激发态能级积累的速度升高温度会缩短所需的时间。通过测量发射强度达到值所需的时间,可以确定温度大小。

CRT(阴极射线管)荧光粉CRT内电子枪产生的电子束激发。CRT荧光粉通常由美国电子工业协会(EIA)的编号来表示,后来发展为统一的荧光粉类型命名系统(WTDS)。下面列出的表格用于 CRT 荧光粉及其 EIA WTDS 编号以及相应的货号编码。

代码(EIA-WTDS)

货号

化学成分

CIE 颜色坐标 (X, Y)

中值粒径

(微米)

P1-GK

GBK25/N-C1

Zn2SiO4:Mn

0.208

0.704

7.0

P1-GK

GBK25/F-C1

Zn2SiO4:Mn

0.208

0.704

3.0

P5-BJ

FPK/N-C1

CaWO4

0.170

0.120

8.0

P7Y-X

JGL29/N-C1

(Zn,Cd)S:Cu

0.358

0.524

12.0

P11-BE

GL47/N-C1

ZnS:Ag

0.147

0.076

6.5

P11-BE

GL47/F-C1

ZnS:Ag

0.147

0.076

4.0

P15-GG

GK30/F-F1

ZnO:Zn

0.245

0.442

3.5

P19-LF

CEQ25S/N-C1

KMgF3:Mn

0.568

0.425

8.0

P20-KA

GJL47/N-C1

(Zn,Cd)S:Ag

0.297

0.571

8.0

P20-KA

GJL47/F-C1

(Zn,Cd)S:Ag

0.297

0.571

3.5

P20-KA

GJL47/UF-C1

(Zn,Cd)S:Ag

0.297

0.571

2.5

P22B-X

GL47/N-C2

ZnS:Ag

0.148

0.062

8.0

P22G-X

GL29A/N-C1

ZnS:Cu,Al

0.310

0.594

8.0

P22R-X

QKL63/N-C1

Y2O2S:Eu

0.647

0.343

7.5

P25-LJ

FBK25P/N-C1

CaSiO3:Mn,Pb

0.540

0.456

8.0

P26-LC

CEQ25/N-C1

KMgF3:Mn

0.570

0.423

8.0

P31-GH

GL29/N-C1

ZnS:Cu

0.287

0.521

8.0

P31-GH

GL29/F-C1

ZnS:Cu

0.287

0.521

4.0

P33-LD

EQ25/N-C1

MgF2:Mn

0.561

0.434

8.0

P38-LK

GEQ25/N-C1

(Zn,Mg)F2:Mn

0.541

0.450

5.0

P39-GR

GBK25A/N-C1

Zn2SiO4:Mn,As

0.195

0.697

7.5

P39-GR

GBK25I/N-C1

Zn2SiO4:Mn,In

0.197

0.712

6.0

P43-GY

UKL65D/N-C1

Gd2O2S:Tb

0.337

0.561

8.5

P43-GY

UKL65D/S-C1

Gd2O2S:Tb

0.337

0.561

5.0

P43-GY

UKL65D/F-C1

Gd2O2S:Tb

0.337

0.561

3.5

P43-GY

UKL65D/UF-C1

Gd2O2S:Tb

0.337

0.561

2.5

P44-GX

SKL65/N-C1

La22O2S:Tb

0.346

0.590

8.0

P45-WB

QKL65/N-C1

Y2O2S:Tb

0.263

0.342

7.5

P45-WB

QKL65/F-C1

Y2O2S:Tb

0.263

0.342

3.5

P45-WB

QKL65/UF-C1

Y2O2S:Tb

0.263

0.342

2.5

P45-RED-ENH.

QKL65E/S-C1

Y2O2S:Tb,Eu

0.295

0.267

5.0

P45-RED-ENH.

QKL65E/F-C1

Y2O2S:Tb,Eu

0.295

0.267

3.5

P45-RED-ENH.

QKL65E/UF-C1

Y2O2S:Tb,Eu

0.295

0.267

2.5

P46-KG

QMK58/N-C1

Y3Al5O12:Ce

0.412

0.544

8.0

P46-KG

QMK58/F-C1

Y3Al5O12:Ce

0.412

0.544

3.5

P46(Ga)

QMPK58/S-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Ce

0.306

0.521

5.5

P46(Ga)

QMPK58/F-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Ce

0.306

0.521

3.5

P46(Ga)

QMPK58/UF-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Ce

0.306

0.521

2.5

P47-BH

QBK58/N-A2

Y2SiO5:Ce

0.170

0.103

9.0

P47-BH

QBK58/F-A2

Y2SiO5:Ce

0.170

0.103

3.5

P47-BH

QBK58/UF-A2

Y2SiO5:Ce

0.170

0.103

2.5

P48-KH

QMBK58/N-C1

P46+P47 BLEND

0.318

0.394

6.0

P48-KH

QMBK58/F-C1

P46+P47 BLEND

0.318

0.394

4.0

P53(Ga)

QMPK65/N-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Tb

0.355

0.557

8.5

P53(Ga)

QMPK65/F-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Tb

0.355

0.557

4.0

P53(Ga)

QMPK65/UF-C1

Y3(Al,Ga)5O12:Tb

0.355

0.557

2.5

P56-RF

QK63/N-C1

Y2O3:Eu

0.650

0.346

8.0

P56-RF

QK63/F-C1

Y2O3:Eu

0.650

0.346

5.0

P56-RF

QK63/UF-C1

Y2O3:Eu

0.650

0.346

3.5


































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