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PECVD系统就是为了使传统的化学气象沉积(CVD)反应温度降低,在普通CVD装置的前端加入RF射频感应装置将反应气体电离,形成等离子体,
利用等离子体的活性来促进反应,所以这个系统称为增强型化学气相沉积系统(PECVD)。
主要特点:
1. 管内真空度自动平衡——管内真空度实时监测,自动平衡。PECVD工艺要求石英管内真空度通常在0.1~100Pa之间,该型号PECVD的AIO控制系统会通过真空泵的自动启停来维持用户设定的管内真空度,使成膜效果达的均匀性。
2. AIO控制系统——加热控制、等离子射频控制、气体流量控制、真空系统控制集中于一个7英寸触摸屏进行统一集中调节和操控,协调控制——成仪AIO控制系统;
3. 射频功率的定时控制——预先设定好功率的大小和打开与关闭的时间,自动运行;
4. 炉膛移动速度可调——根据实验要求,用户可设定炉膛左右移动的速度可距离,在沉积结束后炉膛可自动移开沉积区,使样品快速冷却;
5.增加了气体预热温区,在气体电离前把反应气体加热到实验温度,使得沉积效果更佳稳定,缩短沉积时间。
设备名称: | 带气体预热双温区RECVD系统 |
型 号: | PE1260B-Y |
炉膛模式: | 开启式炉膛 |
显示模式: | 7英寸触摸屏 |
控制系统: | 成仪AIO智能控制系统 |
极限温度: | 1200℃ |
加热元件: | 掺钼铁铬铝合金加热丝 |
测温元件: | K型热电偶 |
保温材料: | 高纯度氧化铝纤维 |
工作温度: | ≤1150℃ |
升温速率: | 建议10℃/Min |
加热温区: | 双温区 |
总温区长度: | 200+200 |
进气预热温度: | 800℃ |
进气预热区长度: | 200mm |
炉管规格: | 60*1400mm |
控温精度: | ±1℃ |
密封方式: | 快速法兰密封 |
温度曲线: | 30段"时间—温度曲线"任意可设 |
预存曲线: | 可预存15条温度曲线 |
曲线显示: | 烧结曲线实时描绘显示 |
射频电源功率: | 5~300W自动匹配 |
射频频率: | 13.56MHz |
真空系统抽速: | 2L/s |
真空泵类型: | 双级联高真空机械泵 |
真空泵极限真空度: | 10-2Pa |
系统真空度: | ≤20Pa |
管内压力要求: | 根据用户设定自动启停真空泵,达到压力自动平衡 |
压力保护: | 管内超压后自动放气泄压 |
供气系统: | 3~5路质量流量计 |
精准度: | ±1 |
气体种类: | 乙炔、氢气、氮气、二氧化碳 |
气体切换: | 根据用户设定,气体可以实现自动切换 |