三温区1700℃管式炉
简要描述:高温三温区管式气氛炉主要用于石墨、陶瓷、锂电池、稀有金属、稀土、生物材料等在气氛保护下进行烧结、镀膜、热处理、灰分测定等,也适用于石墨烯、碳纳米管、二硫化钼等二维材料的制备。 参考价面议管式炉
简要描述:低温单温区系列管式炉系周期作业,供企业、院校、研究机构等单位选用。设备为用户提供具有真空、可控气氛及高温的实验环境,应用在半导体、纳米技术、碳纤维等新材料新工艺领域。 参考价面议1200℃管式炉
简要描述:这款管式炉以优质电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构,厦门宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,采用高纯石英管、两端用不锈钢法兰密封,可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、真空退火用的理想产品。 参考价面议气氛管式炉厂家
简要描述:这款管式炉以优质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构,厦门宇电30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用进口高纯氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,采用高纯刚玉管、两端用不锈钢法兰密封,可选用浮子流量计控制进气流量、该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点; 参考价面议化学气相沉积炉(CVD系统)
简要描述:这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。 参考价面议真空钎焊炉
简要描述:适用范围:主要用于一般方法难以连接的材料结构,特别适于连接铝、钛含量较多的超级合金、不锈钢等金属材料,以及石墨、陶瓷等非金属材料该炉型加热室可采用石墨管加热,多层石墨毡隔热的结构加热室,也可采用钼带加热,钼板和不锈钢板复合隔热的结构加热室。设备结构紧凑、节省能源、操作简便、自动化程度高。 参考价面议真空脱脂烧结一体炉
简要描述:真空脱脂烧结一体炉主要用于真空烧结、真空热处理、高温真空烧结。适用于不锈钢基、硬质合金、高温合金、高比重合金、陶瓷材料、磁性材料、碳化物、硼化物、氮化物、氧化物和金属间化合物的烧结。可在同一炉体内实现精脱蜡、预烧、烧结及快冷生产工序一次性完成。杜绝由于产品反复搬移、加热与冷却带来的产品质量事故,降低劳动强度,缩短生产周期,提高生产效率等优点。 参考价面议气压烧结炉(G1)
简要描述:本产品为周期作业式,结构借鉴国外同类产品,气动快速打开炉盖。适用于氮化硅陶瓷球,陶瓷刀具等材料在高压氮气或氩气气氛内进行烧结。有利于增加材料的烧结密度,提高材料的机械性能。 参考价面议管式气氛炉
简要描述:本款管式炉产品以电阻丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,管式炉炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,分为上下两个半圆,需要急速冷却或换管子时,可以打开炉膛,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点。 参考价面议压力烧结炉
简要描述:气压烧结是指首先在低压状态下进行烧结工艺,然后在常压下烧结材料达到疲劳状态,后是在高气压下烧结(结果是进一步的增加材料疲劳状态并迅速的消除材料中的应力), 在高温高气压烧结工艺后,材料的各方面机械性能(硬度,强度,韧性等)都优于普通的烧结工艺。 参考价面议1400℃立式管式炉
简要描述:立式管式气氛炉主要用于玻璃、生物陶瓷、石墨烯、锂电正负极材料、晶体退火、LED发光材料等领域,进行气氛保护下对样品进行热处理、烧结、沉积镀膜、灰分测量等场合。 参考价面议等离子增强化学气相沉积炉(PECVD系统)
简要描述:PECVD工艺中由于等离子体中高速运行的电子撞击到中性的反应气体分子,就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应;借助射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成离子体,而等离子体化学活性很强,很容易反应,在基片上沉积出所期望的薄膜;具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点; 参考价面议