微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD

微型PECVD系统BTF-1200C-S-PECVD

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2024-07-23 12:10:21
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产品简介

PECVD系统(PlasmaEnhancedChemicalvaporDeposition)微型PECVD系统,它包括小型真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统

详细介绍

PECVD 系统(Plasma Enhanced Chemical vapor Deposition)

微型PECVD系统,它包括小型真空管式炉,石英真空室、真空抽气与真空测量系统、气路系统、射频电源系统、物料喷射系统。电源范围宽:0-100W可调; 温度范围宽:100-1200度可调;溅射区域宽:0-600mm可调;适用范围宽:金属薄膜,陶瓷薄膜等,复合薄膜,连续生长各种薄膜等。增加功能容易,可扩展等离子清洗刻蚀等功能。

主要特点

1. 薄膜沉积速率高:采用了甚高频技术,大大的提高了薄膜的沉积速率,沉积速率可达10Å/S;
2. 大面积均匀性高:采用了的多点射频馈入技术,特殊气路分布和加热技术等,使得薄膜均匀性指标达到8%;
3. 一致性高:用半导体行业的设计理念,使得一次沉积的各基片之间偏差低于2%;
4. 工艺稳定性高:高度稳定的设备保证了工艺的连续和稳定;

5. 选配物料喷射系统,可将原料直接喷射到反应区。

6.号:ZL.0 (产品,防伪必究)。

技术参数

真空管式炉

炉管尺寸:

外径Φ50×700mm

极限温度:

1200℃

温度控制器:

PID自动控制晶闸管(可控硅)输出功率,30段可编程控制器

Z快升降温速率:

60

加热区:

230mm

恒温区:

100mm

温度精度:

±1℃

电源:

单相220V,交流50Hz

多通道流量计控制系统

标准量程:

100,200SCCM;(以氮气标定,除以上标准外量程可选)

准确度:

±1.5%

工作压差范围:

0.1~0.5 MPa

Z大压力:

3MPa

接头类型:

Φ6双卡套不锈钢接头

高真空系统

泵体积流量N2

33 L/S

压缩比:

≥1011mbar

实验真空值:

≤10-6mbar

功率消耗:

140W

启动时间:

2min

电源要求:

185-265V AC

射频电源

信号频率:

13.56MHz±0.005%W

功率输出范围:

0-100W

Z大反射功率:

10W


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