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上海龙松半导体高温高湿试验箱适用半导体元器件的研发和工艺改进
1、高温扩散工艺技术的改进（重点是高温长时间扩散，如隔离扩散）包括可能引起硅片内部隐裂的工艺技术改进
2、包封工艺技术、框架处理工艺技术的改进
3、塑封料、框架的变更
4、新产品（含新的封装结构）
5、封装工艺过程中的污染
上海龙松半导体高温高湿试验箱试验的目的：评估器件在高温，高湿，条件下对湿气的抵抗能力，加速其失效进程，同时可附带评价器件外观的寝蚀（单纯评价器件外观的寝蚀采用GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5A）
上海龙松半导体高温高湿试验满足以下标准：
GB/T 4937-1995 第Ⅲ篇 5
GB/T 2423.3-2006
JESD22-A101C
| 设计和技术参数(半导体高温高湿试验箱系列） | ||||||||
| 型号 | LS-TH-80 | LS-TH-120 | LS-TH-225 | LS-TH-408 | LS-TH-504 | LS-TH-800 | LS-TH-1000 | |
| 箱体设计 | ||||||||
| 试验箱内容积（升） | 80 | 120 | 225 | 408 | 504 | 800 | 1000 | |
试验箱内箱容积尺寸 （mm） | 宽（W) | 400 | 450 | 600 | 600 | 700 | 1000 | 1000 |
| 高（H) | 500 | 600 | 750 | 850 | 900 | 1000 | 1000 | |
| 深（T) | 400 | 450 | 500 | 800 | 800 | 800 | 1000 | |
试验箱外箱尺寸 （mm） | 宽（W) | 1020 | 1070 | 1220 | 1220 | 1320 | 1630 | 1630 |
| 高（H) | 1350 | 1450 | 1650 | 1750 | 1800 | 1900 | 1900 | |
| 深（T) | 630 | 680 | 730 | 1030 | 1030 | 1030 | 1230 | |
| 温度试验参数 | ||||||||
| 温度 | ℃ | +150 | ||||||
| 升温速率（平均） | ℃/min | 5 | ||||||
| 温度波动度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 温度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 温度校准值 | ℃ | +23和+80 | ||||||
| 湿度试验参数 | ||||||||
| 温度范围 | ℃ | RT+10~+98 | ||||||
| 温度波动度 | ℃ | ±0.3~0.5 | ||||||
| 温度偏差 | ℃ | ±0.5~2.0 | ||||||
| 湿度范围 | %r.h. | 20~+98 | ||||||
| 湿度波动度 | %r.h. | ±1~3.0 | ||||||
| 温度和湿度校准值 | ℃/% | +23和+125 | ||||||
| r.h | +95和+50 | |||||||
| 供电和连接 | ||||||||
| 额定电压 | V | 3/N/PE AC 380V ±10% 50Hz | ||||||
| 功率 | KW | 6 | 6.5 | 8 | 10 | 16 | 16 | 18 |
| 箱体净重 | kg | 300 | 350 | 450 | 500 | 800 | 800 | 850 |
备注： 温度和湿度值的数据采集是在测试室空载的状况下由传感器测得 实际测量的温度值稳定在测量值后，再进行温度波动的测量 根据特殊使用要求可配置特殊电压 升温速度和降温速度执行标准依据IEC60068-3-5 以上性能指标是再进水口温度为25℃，电压为3/N/PE AC 380V 50Hz下测得 | ||||||||
| 此样本提供的产品概述仅供参考，既不是相关的建议和推荐也不是任何合同的一部分。由于本公司的产品会不断更新，因此我们保留对技术指标变更的权利，恕不另行通知，谢谢合作。 | ||||||||
