高温高压光学浮区炉
高温高压光学浮区炉能够提供2200–3000℃以上的生长温度，晶体生长腔可最大压力可达300Bar，甚以及10-5mBar的高真空。适用于生长各种超导材料单晶，介电和磁性材料单晶，氧化物及金属间化合物单晶等。
高温高压光学浮区炉
竖直双镜设计，采用高照度短弧氙灯，熔区温度：最高>3000℃， 熔区压力：10-5mbar至300 bar，多路独立气体流量和气压控制
丰富的可升级选件
耐高温、耐高压、高真空、高透光率，由德国弗劳恩霍夫应用光学和精密工程研究所优化设计的高反射 拆装简便、带样品污染保护的石英样品腔率镜面，镜体位置和角度可由高精度步进马达控制调节
高温高压光学浮区炉
主要技术参数 | |
熔区温度 | zui高2000 - 3000℃以上 |
熔区压力 | zui大10、50、100、150、300 bar可选 |
熔区真空 | 1*10-2 mbar或 1*10-5 mbar可选 |
熔区气氛 | Ar、O2、N2等可选 |
气体流量 | 0.25 – 1 L/min流量可控 |
氙灯功率 | 3kW 至 15kW可选 |
料棒台尺寸 | 6.8mm 或 9.8mm可选 |
拉伸速率 | 0.1-200 mm/h |
调节速率 | 0.6 mm/s |
拉伸尺寸 | zui大195mm |
旋转速率 | 0-150 rpm |
用电功率 | 400V三相 63A 50Hz |
水冷功率 | 大于8kW |
主机尺寸 | 302cm*163cm*92cm |
