MK-JTGKM10晶体硅激光边缘刻蚀系统利用高能量的激光束将硅电池边缘的短路电阻切断至无穷大,提高电池的光电转换效率。
激光物质 | Nd3+:YVO4 |
调制频率 | 1-100 kHz |
激光功率 | 10 W 20W |
额定输入电压 | AC 220V ±10%, 50Hz/60Hz |
zui大输入功率 | 1.5kW |
重复定位精度 | ±10 μm |
净重 | 2000 Kg |
冷却方式 | 水冷 |