A residual gas system configured for molecular beam epitaxy applications. Measures residual gases and provides for contamination and leak detection in MBE systems.
HALO 201 MBE 分子束外延残余气体分析四极质谱仪用于泄漏探测、趋势分析、真空诊断的过程监测和残余气体的精确分析。
该分子束外延特定分析质谱仪由兼容性材料组成，并能在分子束外延环境中长期使用。
·钼铜布线增加MBE环境下系统的寿命
·抗污染离子源护罩
·双法拉第/ channelplate电子倍增器
·质量数范围： 1～300 amu
·扫描速度： 100amu/s
·最小扫描步阶：0.01amu
·灵敏度： 0.1 ppm～1ppm
·稳定性： 24h以上，峰高变化小于±0.5%
·最小检测分压：2 x 10-13 mbar
·工作压力：1 x 10-4 mbar
